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數(shù)字溫度傳感器DS18B20的原理與應(yīng)用

日期:2024-10-23 15:57
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摘要:

數(shù)字溫度傳感器DS18B20的原理與應(yīng)用

 

1引言
        DS18B20是DALLAS公司生產(chǎn)的一線式數(shù)字溫度傳感器,具有3引腳TO-92小體積封裝形式;溫度測量范圍為-55℃~+125℃,可編程為9位~12位A/D轉(zhuǎn)換精度,測溫分辨率可達0.0625℃,被測溫度用符號擴展的16位數(shù)字量方式串行輸出;其工作電源既可在遠端引入,也可采用寄生電源方式產(chǎn)生;多個DS18B20可以并聯(lián)到3根或2根線上,CPU只需一根端口線就能與諸多DS18B20通信,占用微處理器的端口較少,可節(jié)省大量的引線和邏輯電路。以上特點使DS18B20非常適用于遠距離多點溫度檢測系統(tǒng)。
2DS18B20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
        DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示,主要由4部分組成:64位ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的管腳排列如圖2所示,DQ為數(shù)字信號輸入/輸出端;GND為電源地;VDD為外接供電電源輸入端(在寄生電源接線方式時接地,見圖4)。
        ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的,它可以看作是該DS18B20的地址序列碼,每個DS18B20的64位序列號均不相同。64位ROM的排的循環(huán)冗余校驗碼(CRC=X8+X5+X4+1)。ROM的作用是使每一個DS18B20都各不相同,這樣就可以實現(xiàn)一根總線上掛接多個DS18B20的目的。

 



圖1DS18B20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)



圖2DS18B20的管腳排列



(a)初始化時序



(b)寫時序



(c)讀時序
圖3DS18B20的工作時序圖
DS18B20中的溫度傳感器完成對溫度的測量,用16位符號擴展的二進制補碼讀數(shù)形式提供,以0.0625℃/LSB形式表達,其中S為符號位。例如+125℃的數(shù)字輸出為07D0H,+25.0625℃的數(shù)字輸出為0191H,-25.0625℃的數(shù)字輸出為FF6FH,-55℃的數(shù)字輸出為FC90H。

23
22
21
20
2-1
2-2
2-3
2-4


溫度值低字節(jié)
MSBLSB

S
S
S
S
S
22
25
24


溫度值高字節(jié)
        高低溫報警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器均由一個字節(jié)的EEPROM組成,使用一個存儲器功能命令可對TH、TL或配置寄存器寫入。其中配置寄存器的格式如下:

0
R1
R0
1
1
1
1
1


MSBLSB

        R1、R0決定溫度轉(zhuǎn)換的精度位數(shù):R1R0=“00”,9位精度,*大轉(zhuǎn)換時間為93.75ms;R1R0=“01”,10位精度,*大轉(zhuǎn)換時間為187.5ms;R1R0=“10”,11位精度,*大轉(zhuǎn)換時間為375ms;R1R0=“11”,12位精度,*大轉(zhuǎn)換時間為750ms;未編程時默認為12位精度。
  高速暫存器是一個9字節(jié)的存儲器。開始兩個字節(jié)包含被測溫度的數(shù)字量信息;第3、4、5字節(jié)分別是TH、TL、配置寄存器的臨時拷貝,每一次上電復(fù)位時被刷新;第6、7、8字節(jié)未用,表現(xiàn)為全邏輯1;第9字節(jié)讀出的是前面所有8個字節(jié)的CRC碼,可用來保證通信正確。
3DS18B20的工作時序
  DS18B20的一線工作協(xié)議流程是:初始化→ROM操作指令→存儲器操作指令→數(shù)據(jù)傳輸。其工作時序包括初始化時序、寫時序和讀時序,如圖3(a)(b)(c)所示。
4DS18B20與單片機的典型接口設(shè)計
    圖4以MCS-51系列單片機為例,畫出了DS18B20與微處理器的典型連接。圖4(a)中DS18B20采用寄生電源方式,其VDD和GND端均接地,圖4(b)中DS18B20采用外接電源方式,其VDD端用3V~5.5V電源供電。
    假設(shè)單片機系統(tǒng)所用的晶振頻率為12MHz,根據(jù)DS18B20的初始化時序、寫時序和讀時序,分別編寫了3個子程序:INIT為初始化子程序,WRITE為寫(命令或數(shù)據(jù))子程序,READ為讀數(shù)據(jù)子程序,所有的數(shù)據(jù)讀寫均由*低位開始。
    DATEQUP1.0
    ……
    INIT:CLREA
    INI10:SETBDAT
    MOVR2,#200




a)寄生電源工作方式
(b)外接電源工作方式
圖4DS18B20與微處理器的典型連接圖

INI11:CLRDAT
DJNZR2,INI11;主機發(fā)復(fù)位脈沖持續(xù)3μs×200=600μs
SETBDAT;主機釋放總線,口線改為輸入
MOVR2,#30
IN12:DJNZR2,INI12;DS18B20等待2μs×30=60μs
CLRC
ORLC,DAT;DS18B20數(shù)據(jù)線變低(存在脈沖)嗎?
JCINI10;DS18B20未準備好,重新初始化
MOVR6,#80
INI13:ORLC,DAT
JCINI14;DS18B20數(shù)據(jù)線變高,初始化成功
DJNZR6,INI13;數(shù)據(jù)線低電平可持續(xù)3μs×80=240μs
SJMPINI10;初始化失敗,重來
INI14:MOVR2,#240
IN15:DJNZR2,INI15;DS18B20應(yīng)答*少2μs×240=480μs
RET
;------------------------
WRITE:CLREA
MOVR3,#8;循環(huán)8次,寫一個字節(jié)
WR11:SETBDAT
MOVR4,#8
RRCA;寫入位從A中移到CY
CLRDAT
WR12:DJNZR4,WR12
;等待16μs
MOVDAT,C;命令字按位依次送給DS18B20
MOVR4,#20
WR13:DJNZR4,WR13
;保證寫過程持續(xù)60μs
DJNZR3,WR11
;未送完一個字節(jié)繼續(xù)
SETBDAT
RET
;------------------------
READ:CLREA
MOVR6,#8;循環(huán)8次,讀一個字節(jié)
RD11:CLRDAT
MOVR4,#4
NOP;低電平持續(xù)2μs
SETBDAT;口線設(shè)為輸入
RD12:DJNZR4,RD12
;等待8μs
MOVC,DAT
;主機按位依次讀入DS18B20的數(shù)據(jù)
RRCA;讀取的數(shù)據(jù)移入A
MOVR5,#30
RD13:DJNZR5,RD13
;保證讀過程持續(xù)60μs
DJNZR6,RD11
;讀完一個字節(jié)的數(shù)據(jù),存入A中
SETBDAT
RET
;------------------------
        主機控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個步驟:初始化、ROM操作指令、存儲器操作指令。必須先啟動DS18B20開始轉(zhuǎn)換,再讀出溫度轉(zhuǎn)換值。假設(shè)一線僅掛接一個芯片,使用默認的12位轉(zhuǎn)換精度,外接供電電源,可寫出完成一次轉(zhuǎn)換并讀取溫度值子程序GETWD。
    GETWD:LCALLINIT
    MOVA,#0CCH
    LCALLWRITE;發(fā)跳過ROM命令
    MOVA,#44H
    LCALLWRITE;發(fā)啟動轉(zhuǎn)換命令
    LCALLINIT
    MOVA,#0CCH;發(fā)跳過ROM命令
    LCALLWRITE
    MOVA,#0BEH;發(fā)讀存儲器命令
    LCALLWRITE
    LCALLREAD
    MOVWDLSB,A
    ;溫度值低位字節(jié)送WDLSB
    LCALLREAD
    MOVWDMSB,A
    ;溫度值高位字節(jié)送WDMSB
    RET
    ……
        子程序GETWD讀取的溫度值高位字節(jié)送WDMSB單元,低位字節(jié)送WDLSB單元,再按照溫度值字節(jié)的表示格式及其符號位,經(jīng)過簡單的變換即可得到實際溫度值。
        如果一線上掛接多個DS18B20、采用寄生電源連接方式、需要進行轉(zhuǎn)換精度配置、高低限報警等,則子程序GETWD的編寫就要復(fù)雜一些,限于篇幅,這一部分不再詳述,請參閱相關(guān)內(nèi)容。
        我們已成功地將DS18B20應(yīng)用于所開發(fā)的“家用采暖洗浴器”控制系統(tǒng)中,其轉(zhuǎn)換速度快,轉(zhuǎn)換精度高,與微處理器的接口簡單,給硬件設(shè)計工作帶來了極大的方便,能有效地降低成本,縮短開發(fā)周期。

 

 

 

版權(quán)說明:本文章版權(quán)歸原作者所有,如有版權(quán)爭議請與我們聯(lián)系。

 

 

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